专注碳化硅 (SiC) 外延片研发与生产15年
全球碳化硅外延片主要生产商
提供高质量6、8英寸碳化硅外延晶片，制作650V~3300V、3300V~20000V单极和双极功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。
碳化硅外延晶片
爱游戏平台-爱游戏官方网站（China）提供高质量6、8英寸碳化硅外延晶片，用于制作650V~3300V、3300V~20000V单极和双极功率器件，主要包括SBD、MOSFET、IGBT、JBS等。
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150 mm SiC Epitaxial Wafer-v3.0.pdf
